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self.반도체&전자회로 공부48

[FET 바이어스 회로] 공핍형, 증가형 MOSFET 의 전압나누기 바이어스 회로 공핍형 MOSFET의 전압나누기 바이어스 회로 공핍형 MOSFET의 바이어스 회로는 기본적으로 JFET의 바이어스 회로와 유사하다. MOSFET의 입력전압 V_GS와 출력전류 I_D의 관계(특성곡선)은 JFET와 비슷하기 때문이다. 두 특성곡선의 차이점은 공핍형 MOSFET에서는 이 특성곡선이 V_GS가 양인 경우도 가능하고 I_D 도 I_DSS 이상의 값을 가질 수 있다는 것이다. 이에 따라 소자의 동작점도 이 영역에 존재할 수 있게 된다. 결과적으로 앞에서 논의한 바이어스 회로에 공핍형 MOSFET을 대체해도 MOSFET에 맞는 바이어스 회로가 될 수 있다. 위 회로는 기본적으로 JFET의 전압나누기 바이어스 회로에서 JFET 대신에 공핍형 MOSFET으로 대체한 회로이다. 그래서 회로 해석도 JFE.. 2022. 4. 20.
[FET 바이어스 회로] JFET 공통 드레인 바이어스 회로, 공통 게이트 바이어스 회로 JFET 공통 드레인 바이어스 회로 공통 드레인 바이어스 회로에서는 입력 신호 v_i가 게이트로 들어가고 출력 신호 v_0는 소스 단자로 나온다. 드레인은 공통(common)이다. 이 회로는 양극 접합트랜지스터의 공통 콜렉터 바이어스 회로에 대응된다. 참고 2022.04.14 - [트랜지스터의 바이어스 회로] 공통 베이스 바이어스, 콜렉터 바이어스 회로 입력 부분에 Kirchoff 법칙을 적용하면 인데 여기서 게이트 전류 I_G = 0 이므로 이고, 따라서 게이트-소스 전압은 아래와 같이 구할 수 있다. 그리고 이 회로에서 I_D ≒ I_S 이므로 위의 식은 V_GS = -I_D*R_S 로 바꿔 쓸 수 있고 이를 JFET 에서의 입력전압 V_GS와 출력전류 I_D와의 관계식(제곱의 관계)에 대입하면 아래.. 2022. 4. 19.
[FET 바이어스 회로] JFET 공통 소스 바이어스 회로 - 자체 바이어스 / 전압나누기 회로 JFET 공통 소스 바이어스 회로 공통 소스 증폭기에서는 입력신호 v_i가 게이트 단자로 들어가고 출력신호 v0가 드레인 단자로 나온다. 소스 단자는 공통(common, 접지 또는 전원연결)으로 사용한다. 전압증폭기로 가장 널리 사용되고 있는 것이 공통 소스 증폭기이다. 공통 소스 증폭기를 위한 바이어스 회로에는 아래 세 가지가 있을 수 있다. 1. 고정 바이어스 회로 2. 자체 바이어스 회로 3. 전압나누기 바이어스 회로 1번은 이전 글 참고 2022.04.17 - [FET 바이어스 회로] JFET 공통 소스 바이어스 회로 - 고정 바이어스 회로 2. 자체 바이어스 회로 자체 바이어스(self bias) 회로는 JFET에서 널리 사용되고 있는 바이어스 회로이다. 자체 바이어스 회로이다. 고정 바이어스 .. 2022. 4. 18.
[FET 바이어스 회로] JFET 공통 소스 바이어스 회로 - 고정 바이어스 회로 JFET 공통 소스 바이어스 회로 공통 소스 증폭기에서는 입력신호 v_i가 게이트 단자로 들어가고 출력신호 v0가 드레인 단자로 나온다. 소스 단자는 공통(common, 접지 또는 전원연결)으로 사용한다. 전압증폭기로 가장 널리 사용되고 있는 것이 공통 소스 증폭기이다. 공통 소스 증폭기를 위한 바이어스 회로에는 아래 세 가지가 있을 수 있다. 1. 고정 바이어스 회로 2. 자체 바이어스 회로 3. 전압나누기 바이어스 회로 1. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로 예시다. 이 회로에서는 n-채널 JFET의 바이어스 전압 V_GS를 공급하기 위해 전원 V_GG를 사용하고 있다. 이 전원에 의해 게이트가 소스에 대해 항상 - 로 유지된다. 이렇게 고정된 전원에 의해 FET가 바이어스되기 때문에 이 회로를.. 2022. 4. 17.
[FET 바이어스 회로] FET 바이어스 회로 (Field Effect Transistor) 양극 접합트랜지스터는 전류로 제어되는 소자인 데 반해, FET는 전압으로 제어되는 소자이다. 따라서 양극 접합트랜지스터에서는 베이스 전류 I_B를 조절하여 소자가 원하는 지점(활동영역, active region)에서 작동되도록 하는데 반해, FET에서는 게이트 전압 V_GS를 조절하여 원하는 지점(포화영역, saturation region)에서 소자가 동작하도록 만든다. 그리고 양극 접합트랜지스터의 입력과 출력 사이의 관계는 직선전인 데 반해(콜렉터전류 = β*베이스전류), FET에서는 입력과 출력 사이의 관계는 제곱의 관계를 나타낸다. JFET와 공핍형(depletion) MOSFET 에서는 입력전압 V_GS와 출력전류 I_D의 관계는.. 2022. 4. 16.
[트랜지스터의 바이어스 회로] 공통 베이스 바이어스, 콜렉터 바이어스 회로 공통 베이스 바이어스 회로 공통 베이스 바이어스 회로에서는 베이스를 공통으로 사용한다. 공통 베이스 회로에서 입력은 에미터로 들어가고 출력은 콜렉터로 나온다. 대표적인 공통 베이스 바이어스 회로이다. 이 회로의 입력 부분(에미터로 들어가는 부분)에 Kirchoff 법칙을 적용하면 이므로 에미터 전류 I_E 에 대해 식을 다시 정리하면 아래와 같다. 큰 폐곡선에 대해(전체 회로 부분) Kirchoff 법칙을 적용하면 이고 여기서 에미터 전류와 콜렉터 전류는 거의 같으므로 콜렉터 전류 대신 에미터 전류로 바꾸어 표현할 수 있다. 회로의 출력 부분(콜렉터로 나오는 부분)에 Kirchoff 법칙을 적용하면 이다. 이에 따라 V_CB = 0 인 지점(포화점, saturation)에서의 전류는 Vcc / Rc 로 .. 2022. 4. 14.
[트랜지스터의 바이어스 회로] 공통 에미터 바이어스 회로 - 3 [트랜지스터의 바이어스 회로] 양극 접합트랜지스터의 바이어스 회로 글에서 온도에 따른 트랜지스터의 특성값에 변화에 대해 트랜지스터의 동작점이 변하지 않도록 dc 바이어싱 해야 함을 공부했다. 이 점을 유의하면서 트랜지스터를 어떻게 dc 바이어싱 하는지 공부해보자. 1) 고정 바이어스 회로 2) 콜렉터 되먹임 바이어스 회로 3) 전압 나누기 바이어스 회로 공통 에미터 바이어스 회로 (3) 전압나누기 바이어스 회로(voltage divide) 전압나누기(voltage divide) 바이어스 회로는 안정한 바이어스를 주는 회로로써 트랜지스터 증폭기에 가장 널리 이용되고 있다. 이 그림이 전압나누기 바이어스 회로이다. 고정 바이어스 회로나 되먹임 바이어스(feedback bias) 회로에 비해 저항이 추가된 것.. 2022. 4. 13.
[트랜지스터의 바이어스 회로] 공통 에미터 바이어스 회로 - 2 [트랜지스터의 바이어스 회로] 양극 접합트랜지스터의 바이어스 회로 글에서 온도에 따른 트랜지스터의 특성값에 변화에 대해 트랜지스터의 동작점이 변하지 않도록 dc 바이어싱 해야 함을 공부했다. 이 점을 유의하면서 트랜지스터를 어떻게 dc 바이어싱 하는지 공부해보자. 1) 고정 바이어스 회로 2) 콜렉터 되먹임 바이어스 회로 3) 전압 나누기 바이어스 회로 공통 에미터 바이어스 회로 (2) 콜렉터 되먹임 바이어스 회로 콜렉터 되먹임 바이어스(feedback bias)는 콜렉터에서 일부분의 전압을 베이스에 되먹임시키는 회로이다. 입력 부분에 대해 Kirchoff 법칙을 적용하면, 으로 정리할 수 있다. V_BE가 일정하다고 가정할 경우, 온도가 증가하면 β 값이 증가하게 되고 이에 따라 콜렉터 전류 Ic가 증.. 2022. 4. 12.
[트랜지스터의 바이어스 회로] 공통 에미터 바이어스 회로 - 1 [트랜지스터의 바이어스 회로] 양극 접합트랜지스터의 바이어스 회로 글에서 온도에 따른 트랜지스터의 특성값에 변화에 대해 트랜지스터의 동작점이 변하지 않도록 dc 바이어싱 해야 함을 공부했다. 이 점을 유의하면서 트랜지스터를 어떻게 dc 바이어싱 하는지 공부해보자. 1) 고정 바이어스 회로 2) 콜렉터 되먹임 바이어스 회로 3) 전압 나누기 바이어스 회로 공통 에미터 바이어스 회로 공통 에미터 증폭기가 전압증폭기로 널리 사용되고 있다. 아래에서는 공통 에미터 증폭기를 위한 여러 가지 바이어스 회로에 대해 공부해보자. 공통 에미터 증폭기에서는 입력신호 v_i는 베이스로 들어가고 출력신호 v_o는 콜렉터로 나온다. 에미터는 접지로써 공통이다. (1) 고정 바이어스 회로 고정 바이어스(base bias 또는 f.. 2022. 4. 11.
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