self.반도체&전자회로 공부48 [반도체의 특성] 반도체 캐리어(Carrier) 밀도_1 이전에 진성반도체와 외인성반도체 내용을 공부했다. 진성반도체에서는 남는 전자나 생기는 정공이 없이 전자와 정공이 항상 쌍으로 발생하기 때문에 전자와 정공의 밀도가 같다. 진성반도체의 경우 전자와 정공의 밀도 N_i는 1.5 X 10^10 cm^-3 이다. 외인성반도체인 n형 반도체에서 도너 원자들은 상온에서 열에너지에 의해 모두 이온화되어 전자를 내어놓는다. 따라서 도핑된 도너 원자의 밀도를 N_d라고 하면 n형 반도체에서 전자 밀도는 n = N_i + N_d 이다. 진성반도체의 전자밀도 + 도핑시킨 도너 원자의 전자밀도의 합이다. 그러나 도핑시키는 도너 원자의 밀도 N_d는 대략 10^14 ~ 10^16 cm^-3 으로 앞에서 말했던 진성반도체의 전자밀도 N_i 보다 훨씬 크다. 따라서 n형 반도체에서.. 2022. 3. 20. [반도체의 특성] 진성반도체와 외인성반도체 반도체는 단원소 반도체로는 4가인 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 6가인 세슘(Se)이 있다. 이 중에서 실리콘(Si)이 보통 많이 사용된다고 한다. 많이 쓰인다는 실리콘으로 진성반도체와 외인성반도체를 알아보자. 진성반도체는 불순물(impurity)을 포함하지 않는 반도체를 말한다. 실리콘은 최외각 전자가 4개인 4가의 원소이다. 원소들은 완전히 채워진 전자구각을 선호하기 때문에 실리콘도 주위의 실리콘 원소들과 전자를 공유함으로써 최외각전자가 8개인 안정한 전자구조를 가지려고 한다. 이러한 실리콘 결정의 결합을 공유결합이라고 한다. 각 실리콘 원자들은 주위의 실리콘 원자들과 전자를 공유함으로써 최외각전자가 8개인 안정한 전자구조를 가지고 있다. 이에 따라 낮은 온도에서 실리콘에는 공유결합에 의해 모든 .. 2022. 3. 18. [반도체의 정의] 반도체 기초 지식, 에너지 밴드 물질은 그 물리적 특성에 따라 다양하게 구분할 수 있다. 전기적 성질에 따른 구분, 자기적 성질에 따른 구분, 광학적 성질에 따른 구분 등이 있다. 그 중 물질의 전기적 성질(전류가 형성 되는 물질인가, 아닌가)에 따른 구분해본다면 도체/반도체/부도체로 나눌 수 있다. 어떤 물체의 양단에 전압(V)가 주어지면 물질의 내부에 옴의 법칙 I = V/R 에 따라 전류가 형성된다. I는 전류, R은 저항이다. * 도체 : 외부전압에 의해 그 내부에 전류가 형성되는 물질 * 부도체 : 외부전압에 의해 전류가 형성되지 않는 물질 * 반도체 : 도체와 부도체의 중간 전기저항은 R = ρL/A 와 같이 주어진다. 여기서 L은 물체의 길이, A는 물체의 단면적을 나타내고, ρ는 물체를 구성하는 물질의 고유한 비저항을 말.. 2022. 3. 17. 이전 1 ··· 3 4 5 6 다음 반응형
