바이어스회로4 [FET 바이어스 회로] JFET 공통 드레인 바이어스 회로, 공통 게이트 바이어스 회로 JFET 공통 드레인 바이어스 회로 공통 드레인 바이어스 회로에서는 입력 신호 v_i가 게이트로 들어가고 출력 신호 v_0는 소스 단자로 나온다. 드레인은 공통(common)이다. 이 회로는 양극 접합트랜지스터의 공통 콜렉터 바이어스 회로에 대응된다. 참고 2022.04.14 - [트랜지스터의 바이어스 회로] 공통 베이스 바이어스, 콜렉터 바이어스 회로 입력 부분에 Kirchoff 법칙을 적용하면 인데 여기서 게이트 전류 I_G = 0 이므로 이고, 따라서 게이트-소스 전압은 아래와 같이 구할 수 있다. 그리고 이 회로에서 I_D ≒ I_S 이므로 위의 식은 V_GS = -I_D*R_S 로 바꿔 쓸 수 있고 이를 JFET 에서의 입력전압 V_GS와 출력전류 I_D와의 관계식(제곱의 관계)에 대입하면 아래.. 2022. 4. 19. [FET 바이어스 회로] FET 바이어스 회로 (Field Effect Transistor) 양극 접합트랜지스터는 전류로 제어되는 소자인 데 반해, FET는 전압으로 제어되는 소자이다. 따라서 양극 접합트랜지스터에서는 베이스 전류 I_B를 조절하여 소자가 원하는 지점(활동영역, active region)에서 작동되도록 하는데 반해, FET에서는 게이트 전압 V_GS를 조절하여 원하는 지점(포화영역, saturation region)에서 소자가 동작하도록 만든다. 그리고 양극 접합트랜지스터의 입력과 출력 사이의 관계는 직선전인 데 반해(콜렉터전류 = β*베이스전류), FET에서는 입력과 출력 사이의 관계는 제곱의 관계를 나타낸다. JFET와 공핍형(depletion) MOSFET 에서는 입력전압 V_GS와 출력전류 I_D의 관계는.. 2022. 4. 16. [트랜지스터의 바이어스 회로] 공통 베이스 바이어스, 콜렉터 바이어스 회로 공통 베이스 바이어스 회로 공통 베이스 바이어스 회로에서는 베이스를 공통으로 사용한다. 공통 베이스 회로에서 입력은 에미터로 들어가고 출력은 콜렉터로 나온다. 대표적인 공통 베이스 바이어스 회로이다. 이 회로의 입력 부분(에미터로 들어가는 부분)에 Kirchoff 법칙을 적용하면 이므로 에미터 전류 I_E 에 대해 식을 다시 정리하면 아래와 같다. 큰 폐곡선에 대해(전체 회로 부분) Kirchoff 법칙을 적용하면 이고 여기서 에미터 전류와 콜렉터 전류는 거의 같으므로 콜렉터 전류 대신 에미터 전류로 바꾸어 표현할 수 있다. 회로의 출력 부분(콜렉터로 나오는 부분)에 Kirchoff 법칙을 적용하면 이다. 이에 따라 V_CB = 0 인 지점(포화점, saturation)에서의 전류는 Vcc / Rc 로 .. 2022. 4. 14. [트랜지스터의 바이어스 회로] 양극 접합트랜지스터의 바이어스 회로 양극 접합트랜지스터의 바이어스 회로 양극 접합트랜지스터를 증폭기에 사용하기 위해서는 활동영역(active mode, 활동모드)에서 작동하도록 해야 한다. *******참고******* 1. 두 접합 모두 순바이어스를 하는 경우 (포화모드) 2. 두 접합 모두 역바이어스를 하는 경우 (차단모드) 3, 4. 하나를 순바이어스, 다른 하나는 역바이어스를 하는 경우 (활동, 역활동 모드) V_EB : 에미터 - 베이스 전압 V_CB : 베이스 - 콜렉터 전압 ****************** 이에 따라 베이스-에미터 접합은 순바이어스, 베이스-콜렉터 접합은 역바이어스로 dc전원을 공급해 주어야 한다. 그리고 실리콘으로 만든 트랜지스터의 베이스-에미터 접합에는 0.7V 이상의 전압이 주어져야 트랜지스터가 on 상.. 2022. 4. 10. 이전 1 다음 반응형
