트랜지스터3 [트랜지스터의 바이어스 회로] 양극 접합트랜지스터의 바이어스 회로 양극 접합트랜지스터의 바이어스 회로 양극 접합트랜지스터를 증폭기에 사용하기 위해서는 활동영역(active mode, 활동모드)에서 작동하도록 해야 한다. *******참고******* 1. 두 접합 모두 순바이어스를 하는 경우 (포화모드) 2. 두 접합 모두 역바이어스를 하는 경우 (차단모드) 3, 4. 하나를 순바이어스, 다른 하나는 역바이어스를 하는 경우 (활동, 역활동 모드) V_EB : 에미터 - 베이스 전압 V_CB : 베이스 - 콜렉터 전압 ****************** 이에 따라 베이스-에미터 접합은 순바이어스, 베이스-콜렉터 접합은 역바이어스로 dc전원을 공급해 주어야 한다. 그리고 실리콘으로 만든 트랜지스터의 베이스-에미터 접합에는 0.7V 이상의 전압이 주어져야 트랜지스터가 on 상.. 2022. 4. 10. [트랜지스터의 특성] 장 효과 트랜지스터 - MOSFET 장 효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor) [FET] 장 효과 트랜지스터도 양극 접합트랜지스터와 동일하게 3단자 소자이다. 드레인(Drain), 소스(Source), 게이트(Gate) 등 세 개의 단자로 구성되어 있다. - 앞에서 보았듯이 양극 접합트랜지스터는 전류제어소자였다.(current controlled device) 즉, 출력인 콜렉터 전류가 입력이 베이스 전류의 함수로 표시된다. 반면에 FET는 전압제어소자에 속한다.(voltage controlled device) 즉, 출력인 드레인 전류가 게이트 전압의 함수로 표현된다. - 양극접합 트랜지스터는 npn & pnp 두 가지의 형태가 가능했다. 마찬가지로 FET도 n-채널과 p-채널의 형태가 가능하다. - 그리고 전류를 .. 2022. 3. 30. [트랜지스터의 특성] 양극 접합 트랜지스터 양극 접합트랜지스터의 구조 (bipolar junction transistor) 양극 접합트랜지스터는 두 개의 pn접합 으로 구성되어 있다. 이에 따라 접합의 종류에 따라 두 가지의 형태가 가능하다. pnp / npn 트랜지스터가 존재한다. 중간에 끼인 베이스 층 (B, base) 은 아주 얇다(0.5㎛). 한 쪽 끝에 있는 에미터(E, emitter)와 콜렉터(C, collector)층은 대략 0.5 ㎜ 의 너비를 가진다. 불순물의 도핑량은 에미터, 베이스, 콜렉터의 순서이다. 트랜지스터의 회로 심벌에서는 화살표로 에미터로의 방향을 표시하는데, 그 방향은 p에서 n으로 향한다. 화살표가 에미터에서 베이스로의 방향이면 베이스가 n형 이라는 말이므로 pnp 트랜지스터임을 알 수 있다. 반대로 화살표가 베이.. 2022. 3. 27. 이전 1 다음 반응형
