MOSFET3 [FET 바이어스 회로] FET 바이어스 회로 (Field Effect Transistor) 양극 접합트랜지스터는 전류로 제어되는 소자인 데 반해, FET는 전압으로 제어되는 소자이다. 따라서 양극 접합트랜지스터에서는 베이스 전류 I_B를 조절하여 소자가 원하는 지점(활동영역, active region)에서 작동되도록 하는데 반해, FET에서는 게이트 전압 V_GS를 조절하여 원하는 지점(포화영역, saturation region)에서 소자가 동작하도록 만든다. 그리고 양극 접합트랜지스터의 입력과 출력 사이의 관계는 직선전인 데 반해(콜렉터전류 = β*베이스전류), FET에서는 입력과 출력 사이의 관계는 제곱의 관계를 나타낸다. JFET와 공핍형(depletion) MOSFET 에서는 입력전압 V_GS와 출력전류 I_D의 관계는.. 2022. 4. 16. [트랜지스터의 특성] 장 효과 트랜지스터 - MOSFET - 2 MOSFET 그림은 증가형 n-채널 MOSFET의 전류-전압 특성을 나타낸다. 왼쪽 그림을 보면 게이트 전압이 V_T(이 경우 2V) 이하에서는 I_D = 0 임을 알 수 있다. 그리고 V_GS(게이트전압) > V_T 인 경우에는 I_D는 V_GS에 따라 증가한다. 오른쪽 그림은 V_GS > V_T 인 여러 게이트 전압 값에 대해 V_DS에 의한 I_D의 변화를 보여주고 있다. V_DS V_P 가 되면 V_DS는 증가하더라도 I_D는 일정하게 된다. 이 영역을 포화영역(saturation region) 이라고 부른다. 포화영역에서는 저항이 무한대가 된다. 이에 따라 이 상태에서 V_DS의 증가는 공간전하영역의 전압만 증가시키므로 전류 I_D는 일정하게 된다. Ohm 영역에서 만족되는 I_D와 V_DS의 .. 2022. 3. 31. [트랜지스터의 특성] 장 효과 트랜지스터 - MOSFET 장 효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor) [FET] 장 효과 트랜지스터도 양극 접합트랜지스터와 동일하게 3단자 소자이다. 드레인(Drain), 소스(Source), 게이트(Gate) 등 세 개의 단자로 구성되어 있다. - 앞에서 보았듯이 양극 접합트랜지스터는 전류제어소자였다.(current controlled device) 즉, 출력인 콜렉터 전류가 입력이 베이스 전류의 함수로 표시된다. 반면에 FET는 전압제어소자에 속한다.(voltage controlled device) 즉, 출력인 드레인 전류가 게이트 전압의 함수로 표현된다. - 양극접합 트랜지스터는 npn & pnp 두 가지의 형태가 가능했다. 마찬가지로 FET도 n-채널과 p-채널의 형태가 가능하다. - 그리고 전류를 .. 2022. 3. 30. 이전 1 다음 반응형
