NMOS1 [트랜지스터의 특성] 장 효과 트랜지스터 - JFET 와 CMOS JFET(Junction FET) JFET 에도 n-채널 JFET 와 p-채널 JFET가 있다. n-채널 JFET에서는 n형 기판을 이용한다. 양단에 전극을 연결하여 드레인과 소스로 만든다. 그리고 양 측면에는 p형을 도핑하고 전극을 만들어 게이트로 사용한다. (반면에 p-채널 JFET에서는 p형 기판을 사용한다.) 위 그림은 n-채널 JFET의 구조와 V_GS = 0 에서 V_DS에 따른 I_D의 변화를 보여준다. (세 그림 모두 V_GS = 0) V_DS가 증가하면 드레인 쪽의 전압이 커지는 것이므로 드레인 쪽의 공간전하영역이 넓어지게 되고, n-채널이 좁아진다. 이에 따라 드레인 전류 I_D는 감소하게 된다. 그리고 V_DS가 어떤 값 V_P에 도달하면 게이트인 두 p영역의 공간전하영역이 마주치게 .. 2022. 4. 1. 이전 1 다음 반응형
