n-채널1 [트랜지스터의 특성] 장 효과 트랜지스터 - MOSFET - 2 MOSFET 그림은 증가형 n-채널 MOSFET의 전류-전압 특성을 나타낸다. 왼쪽 그림을 보면 게이트 전압이 V_T(이 경우 2V) 이하에서는 I_D = 0 임을 알 수 있다. 그리고 V_GS(게이트전압) > V_T 인 경우에는 I_D는 V_GS에 따라 증가한다. 오른쪽 그림은 V_GS > V_T 인 여러 게이트 전압 값에 대해 V_DS에 의한 I_D의 변화를 보여주고 있다. V_DS V_P 가 되면 V_DS는 증가하더라도 I_D는 일정하게 된다. 이 영역을 포화영역(saturation region) 이라고 부른다. 포화영역에서는 저항이 무한대가 된다. 이에 따라 이 상태에서 V_DS의 증가는 공간전하영역의 전압만 증가시키므로 전류 I_D는 일정하게 된다. Ohm 영역에서 만족되는 I_D와 V_DS의 .. 2022. 3. 31. 이전 1 다음 반응형
