소수캐리어1 [반도체의 특성] 반도체 캐리어(Carrier) 밀도_2 이전 글에서 전도대 안의 전자밀도 공식을 공부해보았다. 같은 방식으로 가전대 안의 정공밀도도 구할 수 있다. 즉, 가전대 안의 정공밀도는 아래의 공식으로 주어진다. 여기서 E_v , E_v b는 각각 가전대의 가장 위의 에너지 준위와 가전대의 가장 아래의 에너지 준위를 나타낸다. 그리고 정공은 전자가 없는 상태이므로 Fermi-Dirac분포함수는 [1-f(E)] 로 주어진다. 전자밀도를 구했을 때 처럼 같은 방식으로 적분구간은 -∞ 에서 0 으로 근사할 수 있다. 이에 따라 위의 적분식을 계산하면 와 같이 구해진다. 여기서 N_v는 정공에 대한 유효상태밀도이다. 진성반도체에서는 전자와 정공의 수가 같으므로 n = p = n_i 이다. 따라서 진성반도체에서의 Fermi 준위(E_F)는 와 같이 구해진다. .. 2022. 3. 21. 이전 1 다음 반응형
