반도체10 식각(etching) 공정에서 profile에 영향을 미치는 loading effect에 대해서 - 1 식각(etching) 공정에서 profile에 영향을 미치는 loading effect에 대해서 반도체의 식각(etching) 공정은 진행하고자 하는 패턴에 따라 식각 속도나 proflie에 영향을 줄 수 있는 loading effect가 발생할 수 있다. 그래서 loading effect는 식각 공정을 진행하는 웨이퍼에서 uniformity를 떨어트릴 수 있다. loading effect 의 종류와 profile을 어떻게 진행시키는지 공부해보자. 1. Macro loading effect - Macro loading effect란 ? 보통 Macro loading effect에 대해 검색해보면 붙어있는 패턴을 식각할 때 식각 속도의 차이가 나는 현상과 관련된 그림들이 많이 보인다. 식각할 면적이 증가했.. 2022. 7. 8. 반도체 2 - DRAM 과 FLASH 의 차이점은 ? 2022.06.25 - [self.반도체&전자회로 공부] - 반도체 1 - 반도체의 종류와 각각의 설명 반도체 2 - DRAM 과 FLASH 의 차이점은 ? DRAM과 FLASH은 데이터를 저장할 수 있는 대표적인 메모리 반도체이다. 하지만 두 반도체는 서로 다른 장점과 특징을 갖고 있고 많은 구조적 차이점이 있어 응용되는 곳이 서로 다르다. DRAM과 FLASH의 차이점은 무엇이 있고 어디에 사용되는지 공부해보자. 1. 휘발성 가장 잘 알려진 차이점은 바로 데이터의 휘발성(volatile)이다. DRAM과 FLASH 모두 데이터 '저장'이 가능하지만 DRAM의 경우에는 정말 짧은 시간 동안만 저장이 가능하여 주기적으로 refresh 라는 동작을 수행해야한다. FLASH는 원한다면 반영구적인 저장도 가능.. 2022. 6. 28. 반도체 1 - 반도체의 종류와 각각의 설명 반도체 1 - 메모리 반도체의 종류와 각각의 설명 반도체 회사에 관심이 조금이라도 있다면 가장 기본적으로 알아야 할 것이 반도체의 종류라고 생각한다. 가서 배우면 된다지만 그래도 자신이 어디에 지원하는지는 알고 있어야 한다고 생각한다. 크게 구조를 보면 아래와 같다. 반도체는 메모리 반도체와 비메모리 반도체로 나뉘어지는데 취준하는 학생의 입장에서 보자면... 메모리 반도체가 보통 알고 있는 반도체(DRAM, FLASH)이고 비메모리가 Foundry 사업, 시스템반도체 사업이라고 생각하면 될 것 같다. 메모리 반도체와 비메모리 반도체의 차이점은 메모리 반도체는 이름 그대로 데이터를 저장하는 반도체이고, 비메모리 반도체는 정보를 받아서 연산 한느 등의 데이터를 처리하는 반도체이다. 대표적인 비메모리 반도체에.. 2022. 6. 25. Electrostatic chuck, ESC란? Electrostatic chuck, ESC란? 반도체 제조 공정에서 특히 진공을 사용해야 하는 공정(Etching, CVD 공정 등...)의 진행 설비의 경우 ESC 라는 부품은 반드시 장착되어 있고 아마 제일 중요한 부품 중 하나라고 생각할 수 있다. ESC는 무엇이고, 또 왜 사용하는지 간단하게 알아보자. - ESC란? ESC의 구분 제목에도 써 있듯이 ESC는 Electrostatic chuck이다. chuck, 말 그대로 wafer를 잡고 있는 부품인데 정전기력을 사용하여 잡고 있는 것이다. ESC는 여러 기준으로 구분할 수 있다. 1. monopolar / bi-polar ESC 내에 전극막이 하나이면 monopolar, 두 개 이면 bi-polar 이다. 이런 느낌이다. monopolar와 .. 2022. 6. 15. 뉴로모픽 컴퓨팅(엔지니어링) neuromorphic computing 이란 ? 뉴로모픽 컴퓨팅(엔지니어링) neuromorphic computing 이란 ? 뉴로모픽 공학(neuromorphic engineering) 이라고도 부른다고 한다. 인공지능에서 더 나아가 뉴런의 형태를 모방한 회로를 만들어 인간의 뇌 기능을 비슷하게 구현하려고 하는 공학 분야라고 한다. 인간의 뇌 기능을 하드웨어적으로 비슷하게 구현하여 만든 회로나 칩(chip)을 뉴로포픽 회로, 뉴로모픽 칩 이라고 부른다. ** 뉴런은 신경계를 구성하고 있는 사람의 세포로 우리가 세상을 보고, 인식하는 등의 정보를 받아들이고 저장하는 역할을 한다. 뉴런은 연산을 하고 시냅스가 저장을 하는 구조이다. 인간의 뇌에는 보통 1000억개의 뉴런이 있다고 알려져 있다. 인공지능이나 머신러닝에 관심이 있는 사람이라면, 인공 신경망.. 2022. 5. 28. 차세대 반도체 메모리 MRAM - Magnetic Random Access Memory 이란 ? 메모리 반도체 하면 보통 DRAM 와 FLASH 가 가장 먼저 떠오른다. 간단하게 설명하자면 DRAM 은 외부 전원에 의존하여 Active 상태에 있어야만 정보가 남아있고, 외부 전원이 차단되면 정보가 사라지는 휘발성 메모리 소자이다. 그리고 FLASH는 외부전원이 차단되어도 정보를 갖고 있는 비휘발성 메모리가 맞는데, 차세대 반도체 메모리는 FLASH 에 비하여 기존 특성들(전력, 데이터 유지, write/read 특성 등)이 뛰어나기 때문에 최근 미래 먹거리로 많이 연구되고 있는 메모리이다. 연구되고 있는 차세대 메모리는 정말 다양하게 있는데 그 중 내가 자주 들어본 건 MRAM과 PRAM 이다. ( 둘 다 비휘발성 메모리이다.) 그중 MRAM이 무엇인지 찾아보았다. MRAM : Magnetic Ra.. 2022. 5. 15. [반도체의 특성] 반도체 캐리어(Carrier) 밀도_2 이전 글에서 전도대 안의 전자밀도 공식을 공부해보았다. 같은 방식으로 가전대 안의 정공밀도도 구할 수 있다. 즉, 가전대 안의 정공밀도는 아래의 공식으로 주어진다. 여기서 E_v , E_v b는 각각 가전대의 가장 위의 에너지 준위와 가전대의 가장 아래의 에너지 준위를 나타낸다. 그리고 정공은 전자가 없는 상태이므로 Fermi-Dirac분포함수는 [1-f(E)] 로 주어진다. 전자밀도를 구했을 때 처럼 같은 방식으로 적분구간은 -∞ 에서 0 으로 근사할 수 있다. 이에 따라 위의 적분식을 계산하면 와 같이 구해진다. 여기서 N_v는 정공에 대한 유효상태밀도이다. 진성반도체에서는 전자와 정공의 수가 같으므로 n = p = n_i 이다. 따라서 진성반도체에서의 Fermi 준위(E_F)는 와 같이 구해진다. .. 2022. 3. 21. [반도체의 특성] 반도체 캐리어(Carrier) 밀도_1 이전에 진성반도체와 외인성반도체 내용을 공부했다. 진성반도체에서는 남는 전자나 생기는 정공이 없이 전자와 정공이 항상 쌍으로 발생하기 때문에 전자와 정공의 밀도가 같다. 진성반도체의 경우 전자와 정공의 밀도 N_i는 1.5 X 10^10 cm^-3 이다. 외인성반도체인 n형 반도체에서 도너 원자들은 상온에서 열에너지에 의해 모두 이온화되어 전자를 내어놓는다. 따라서 도핑된 도너 원자의 밀도를 N_d라고 하면 n형 반도체에서 전자 밀도는 n = N_i + N_d 이다. 진성반도체의 전자밀도 + 도핑시킨 도너 원자의 전자밀도의 합이다. 그러나 도핑시키는 도너 원자의 밀도 N_d는 대략 10^14 ~ 10^16 cm^-3 으로 앞에서 말했던 진성반도체의 전자밀도 N_i 보다 훨씬 크다. 따라서 n형 반도체에서.. 2022. 3. 20. [반도체의 특성] 진성반도체와 외인성반도체 반도체는 단원소 반도체로는 4가인 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 6가인 세슘(Se)이 있다. 이 중에서 실리콘(Si)이 보통 많이 사용된다고 한다. 많이 쓰인다는 실리콘으로 진성반도체와 외인성반도체를 알아보자. 진성반도체는 불순물(impurity)을 포함하지 않는 반도체를 말한다. 실리콘은 최외각 전자가 4개인 4가의 원소이다. 원소들은 완전히 채워진 전자구각을 선호하기 때문에 실리콘도 주위의 실리콘 원소들과 전자를 공유함으로써 최외각전자가 8개인 안정한 전자구조를 가지려고 한다. 이러한 실리콘 결정의 결합을 공유결합이라고 한다. 각 실리콘 원자들은 주위의 실리콘 원자들과 전자를 공유함으로써 최외각전자가 8개인 안정한 전자구조를 가지고 있다. 이에 따라 낮은 온도에서 실리콘에는 공유결합에 의해 모든 .. 2022. 3. 18. 이전 1 2 다음 반응형
